高端研發(fā)領(lǐng)域?qū)S玫亩嗳肷浣羌す鈾E偏儀,采用多項專利技術(shù),儀器硬件和軟件具有多項定制功能設(shè)計,適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數(shù)測量、快速變化的納米薄膜實時測量等不同的應(yīng)用場合。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1.高精度、高穩(wěn)定性 2.一體化集成設(shè)計 3.測量簡單 4.快速、高精度樣品方位對準(zhǔn) 5.多角度測量 6.實時測量 7.豐富的材料庫及物理模型 8.強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析和管理功能 應(yīng)用領(lǐng)域: 可應(yīng)用于納米薄膜的幾乎所有領(lǐng)域,如微電子、半導(dǎo)體、生命科學(xué)、電化學(xué)、顯示技術(shù)、磁介質(zhì)及金屬處理等?蓪{米層構(gòu)樣品的薄膜厚度和折射率n及消光系數(shù)k進(jìn)行快速、高精度、高準(zhǔn)確度的測量,尤其適用于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)及質(zhì)量監(jiān)控,可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)模系,以及塊狀材料(基底)。
技術(shù)指標(biāo):
激光波長 |
632.8nm(He-Ne laser) |
膜層厚度精度 |
0.01nm(對于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層 |
折射率精度 |
1x10-4 (對于Si 基底上110nm 的SiO2 膜層 |
光學(xué)結(jié)構(gòu) |
PSCA |
激光光束直徑 |
<1mm |
入射角度 |
40°-90°可選,步進(jìn)5° |
樣品方位調(diào)整 |
三維平移調(diào)節(jié);±6.5mm(X-Y-Z三軸) 二維俯仰調(diào)節(jié):±4° 光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對準(zhǔn) |
樣品臺尺寸 |
Φ 170mm |
單次測量時間 |
0.2s |
推薦測量范圍 |
0-6000nm |
大外形尺寸(長x寬x高) |
887x332x552mm(入射角為90°時 |
儀器重量(凈重) |
25kg |
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